
El AS2280P4U Pro incorpora una interfaz PCIe Gen3 x4, compatible con el estándar NVMe 1.3. Sus excelentes velocidades de lectura y escritura alcanzan los 3500/3000 MB/s, lo que permite a los usuarios cambiar rápidamente de un programa a otro y alcanzar la excelencia en sus juegos sin limitaciones.
El compacto formato M.2 2280 (22 mm x 80 mm) del AS2280P4U Pro ofrece una gran capacidad de almacenamiento de hasta 2 TB. Su diseño ultrafino optimiza la flexibilidad de la SSD, haciéndola ideal para portátiles ultradelgados, consolas de videojuegos y mini PCs. Su extraordinario rendimiento la convierte en la SSD preferida de profesionales como instaladores personalizados, jugadores de eSports, entusiastas del overclocking y videógrafos.
El AS2280P4U Pro está equipado con un disipador de calor integrado fabricado con una sola lámina de aluminio, que aprovecha las ventajas de su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas para reducir la temperatura hasta en un 25 %. Esto ayuda a reducir el desgaste de la unidad SSD, manteniendo al mismo tiempo un rendimiento excepcional.
Para brindar a los usuarios una experiencia de alta velocidad impecable, el AS2280P4U Pro incorpora diversas tecnologías de protección que garantizan la precisión y estabilidad de la transmisión de datos. El almacenamiento en caché SLC utiliza una estructura de caché por capas avanzada para mejorar el rendimiento del producto. Gracias a la tecnología de nivelación de desgaste y las funciones de corrección automática de errores integradas, no solo se prolonga la vida útil de la SSD y se mejora la estabilidad operativa, sino que también se garantiza un rendimiento constante tras un uso prolongado.
Interfaz
Interfaz: PCIe Gen3 x4
Protocolo: NVMe 1.3
Tipo de conector: M.2 de 75 pines
Factor de forma: M.2 2280
Capacidad
Capacidad: 512 GB
Rendimiento
Lectura secuencial: Hasta 3500 MB/s
Escritura secuencial: Hasta 2300 MB/s
Lectura aleatoria 4K: Hasta 400.000 IOPS
Escritura aleatoria 4K: Hasta 600.000 IOPS
Gestión y fiabilidad
Tipo de memoria: 3D NAND
Nivelación de desgaste global: Sí
Gestión de bloques defectuosos: Sí
Gestión de fallos de energía: Sí
Resistencia (TBW): 350 TB
MTBF: 1.800.000 horas
Resistencia a golpes: 1500 G / 0.5 ms
Cumple normativa RoHS: Sí
Consumo energético
Voltaje de suministro: 3,3 V ± 5%
Consumo en modo activo: Hasta 4118 mW
Consumo en estado de energía: Hasta 70 mW
Rango de temperatura
En funcionamiento: 0 °C a 70 °C
En almacenamiento: -40 °C a 85 °C
Dimensiones y peso
Dimensiones una cara: 80,00 x 22,00 x 3,75 mm
Dimensiones doble cara: 80,00 x 22,00 x 5,00 mm
Peso neto: 10,3 g